Pubblicazioni tecnico-scientifiche

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Le pubblicazioni rappresentano una delle principali forme di condivisione della conoscenza generata all'interno di un'azienda o in collaborazione con altre aziende ed enti di ricerca.
Questa pagina presenta la produzione tecnico-scientifica di Leonardo, relativa a conferenze, atti di convegni, congressi, capitoli di libro, articoli su riviste specializzate.
L'elenco contiene i lavori autorizzati per la pubblicazione, realizzati a partire dal 2012 da ricercatori, ingegneri e tecnici Leonardo.

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Versione: 1.1 Approvato

LDO-ID 2015-03-25-01

Titolo Hot-Electron Degradation of AlGaN/GaN HEMTs during RF Operation: Correlation with GaN Buffer Design

Abstract

Comprehensive rf stress-test campaign has been performed over fourteen technologies of AlGaN/GaN HEMTs employing different GaN buffer design, including either u.i.d., C-doping and Fe-doping. Whereas no signature of gate-edge degradation have been found, good correlation emerges between buffer composition, subthreshold leakage-current, and the permanent degradation of the rf performance. The degradation mechanism, more pronounced in devices with parasitic buffer conductivity, involves the generation of further pre-existing deep-trap-state, the worsening of the dynamic current-collapse, and the subsequent degradation of rf output power.

Autori Bisi Davide, Chini Alessandro, Soci Fabio, Stocco Antonio, Meneghini Matteo, Pantellini Alessio, Nanni Antonio, Lanzieri Claudio, Gamarra Piero, Lacam Cedric, Tordjman Maurice, di-Forte-Poisson Marie Antoinette, Meneghesso Gaudenzio, Zanoni Enrico

Tipologia Paper for Specialistic Magazine

Media IEEE Electron Device Letters

Sito web

Anno 2015

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